用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜

刘召军孟志国赵淑云郭海成吴春亚熊绍珍 · 2010

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自缓释

金属诱导横向晶化

多晶硅薄膜

低温制备与退火

期刊名称：

物理学报 2010 年 04 期

摘要：

采用磁控溅射法,以镍硅合金为靶,制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源——自缓释镍源.该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源.采用该镍源制备低温多晶硅材料,晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度,且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低,可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口.本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率、表面粗糙度、电学特性等与溅射条件的关系进行了研究,并对相应结果进行了讨论.