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N-X共掺p型ZnO薄膜的研究进展
李万俊 孔春阳 秦国平 阮海波 杨天勇 梁薇薇 孟祥丹 赵永红 · 2011
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阅读量：15
p型ZnO薄膜
N-X共掺
稳定性
期刊名称：
材料导报   2011 年 23 期
摘要：
获得高质量稳定的p型ZnO薄膜是实现ZnO基光电器件化的关键。目前,国际上公认Ⅴ族元素中的N替代O位(NO)是实现p型ZnO较理想的掺杂途径。但p-ZnO∶N薄膜的导电性能会随着时间、光照、温度条件发生变化,稳定性不足。大量的理论和实验研究表明N基二元共掺(N-X)可以提高N在ZnO薄膜中的固溶度,浅化N的受主能级,且在很大程度上能够改善p型ZnO的导电性能,有利于获得稳定的p型ZnO薄膜。为此,从N基施主受主共掺、双受主共掺以及其它共掺方面综述了N-X共掺p型ZnO薄膜的研究现状。
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