N-In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究

赵永红孔春阳秦国平李万俊阮海波孟祥丹卞萍徐庆张萍 · 2013

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ZnO∶In-N薄膜

期刊名称：

重庆师范大学学报(自然科学版) 2013 年 03 期

摘要：

采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备ZnO∶In薄膜,以N离子注入的方式进行N掺杂,通过优化退火条件成功实现了ZnO∶In-N薄膜的p型转变。研究发现:在590℃退火20min获得性能良好的p-ZnO∶In-N薄膜,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别为(1.01×1018)cm-3、3.40cm2.V-1.s-1、1.81Ω.cm。结合XPS分析认为ZnO∶In-N实现p型导电正是由于In的掺入与受主N形成了有利于p型导电的受主InZn-2NO复合体。Hall跟踪测试发现p型导电会随时间变化而最终转变为...