钇掺杂BaTiO_3半导体陶瓷的制备

骆春媛刘敬肖史非唐乃岭钱超 · 2014

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半导体陶瓷

BaTiO3

Y施主

煅烧温度

期刊名称：

大连工业大学学报 2014 年 02 期

摘要：

以BaCO3和TiO2为原料,采用固相反应法制备了钇(Y)掺杂的BaTiO3半导体陶瓷。并且结合XRD分析的结果,讨论了不同煅烧温度对陶瓷半导化的影响和样品的室温电阻率与施主Y的摩尔分数的关系;提出了煅烧温度的选取原则。研究结果表明,随着煅烧温度的升高,材料半导化程度先增加后减小,最佳的煅烧温度为1 200℃。随着Y摩尔分数的增加室温电阻率先增加后减小。当Y摩尔分数为0.6%时在1 200℃煅烧2h获得的材料的室温电阻率最低为31.80Ω·cm。