应用使能检测单元的抗辐射数字像素图像传感器

闫茜姚素英高志远李新伟徐江涛 · 2016

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单粒子效应

设计加固

图像传感器

期刊名称：

传感器与微系统 2016 年 11 期

摘要：

介绍了一种经过抗辐射设计加固的CMOS数字像素图像传感器,并提出了一种可以抵抗单粒子效应的使能检测单元。这个使能检测单元通过将信号传输给三个移位寄存器并判断寄存器输出是否一致来判断和屏蔽单粒子效应。实验结果表明:芯片的最大信噪比和动态范围分别是54.15 d B和56.10 d B,使能检测单元可以屏蔽单粒子效应。