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期刊论文
H_2S对Hg在CeO_2表面吸附的影响机理
孟帅琦
侯文慧
周启昕
周劲松
高翔
骆仲泱
· 2016
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阅读量:340
H2S
汞
二氧化铈
密度泛函理论
影响机理
期刊名称:
能源工程 2016 年 03 期
摘要:
建立了金属氧化物吸附剂CeO_2(111)表面的结构模型,首先计算了H_2S、HS、S在CeO_2(111)表面吸附的结合能及键长,结果表明H_2S会在CeO_2(111)表面依次分解为HS与单质S;随后计算了Hg在S-CeO_2(111)表面吸附的结合能及键长,结果表明Hg会与CeO_2(111)表面的单质S结合成键形成稳定的HgS,结合能为-52.829 e V,属于强烈的化学吸附,从微观上发现了H_2S的存在对单质汞在CeO_2表面的吸附有促进作用。
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