过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展

张禹韦习成余运龙张浩 · 2017

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过渡金属二硫族化合物

FET

器件

期刊名称：

人工晶体学报 2017 年 05 期

摘要：

过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的应用研究进展,并对存在的问题以及潜在的研究方向做了展望。