辛基酚的碳化硅@膨胀石墨修饰电极法检测

严鹏王庆虎余俊张媛媛杨年俊李亚伟万其进 · 2017

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碳化硅晶须

膨胀石墨

化学修饰电极

辛基酚

期刊名称：

武汉工程大学学报 2017 年 02 期

摘要：

采用气相沉积法在膨胀石墨(EG)层片间生长碳化硅(SiC)晶须,制备出复合材料碳化硅@膨胀石墨(SiC@EG),并通过改变气相沉积的温度(分别为1 200℃、1 300℃、1 400℃)制备出不同形貌的SiC@EG.所得材料用扫描电镜和循环伏安法及交流阻抗技术进行表征,结果表明1 300℃下制得的SiC@EG具有较好的电化学性能,将其作为新型修饰电极材料应用于对酚类环境激素的检测,研究了辛基酚在SiC@EG修饰电极上的电化学行为.通过考察辛基酚在SiC@EG修饰电极上氧化行为的影响因素,对实验条件进...