GaN体单晶生长研究进展

周明斌李振荣范世马岂徐卓熊志华 · 2017

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GaN

LED衬底

GaN体单晶

期刊名称：

中国照明电器 2017 年 09 期

摘要：

宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点。以高质量GaN体单晶基片为衬底的同质外延生长,是发挥GaN半导体器件优异性能的关键。高质量GaN单晶基片的缺乏已成为当前制约GaN器件发展的瓶颈。本文从影响LED器件设计与制造的关键因素(衬底)分析,综述了近年来几种常见GaN体单晶生长方法,并对它们的发展前景做出了展望。