摘要：
基于0.18μm CMOS工艺,提出了一种为UHF RFID阅读器中VCO供电的低噪声、高电源抑制比LDO。根据LDO的基本结构,对噪声和电源抑制比进行了分析。采用两级结构,通过预调制级和低通滤波器来降低输出噪声,采用电源负反馈结构为带隙基准电路提供独立电源,并在功率输出级增加减法电路来提高电源抑制比。仿真结果表明,该LDO在100kHz和1 MHz处的输出噪声分别为26nV/Hz~(1/2)和6.7nV/Hz~(1/2),10kHz和1 MHz处的PSRR分别为-82dB和-71.6dB。在3.3...
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