水热合成基于MoS_2二维材料的MoS_2/SnO_2与MoS_2/SnS_2复合物
期刊名称:
武汉大学学报(理学版)
2017 年
06 期
摘要:
MoS_2与其他半导体的异质结一般采用二次生长法,该方法比较费时,而且容易产生聚集,针对该问题,本文采用高压釜水热法一次制备出了MoS_2/SnO2与MoS_2/SnS_2的复合物,利用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和紫外-可见-近红外分光光度计(UV-vis-NIR)对样品进行了表征.实验结果显示,复合结构中,MoS_2为二维少层结构,制备过程中的NH_4~+对MoS_2二维结构的成形有促进作用;通过调整钼源与锡源的比例,发现将SnCl_4与(NH_4)_...