铜导体CFETR氦冷固态包层及屏蔽中子学设计与分析

赵奉超冯开明曹启祥栗再新张国书 · 2018

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铜导体CFETR

期刊名称：

核聚变与等离子体物理 2018 年 01 期

摘要：

根据铜导体CFETR设计要求,对铜导体CFETR固态包层和屏蔽进行了中子学设计与分析,提出了套管结构的氦冷固态包层设计方案。包层设计和屏蔽分析结果表明,基于套管的氦冷固态包层的氚增殖比(TBR)达到了1.25,满足铜导体CFTER氚自持设计要求;环向场线圈绝缘层在堆寿期内不会出现显著的辐射感应电导率(RIC)与辐射引起的电气性能退化(RIED)效应。