低气压射频及甚高频容性耦合等离子体源的发展趋势及相关物理问题

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低气压射频及甚高频容性耦合等离子体源的发展趋势及相关物理问题

宋远红徐翔王友年 · 0

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等离子体密度

空间均匀性

会议名称：

第十五届全国等离子体科学技术会议

会议时间：

2011-08-08

会议地点：

中国安徽黄山

摘要：

<正>平行板式的低气压容性耦合等离子体源(Capacitively Coupled Plasma,CCP)由于设备结构简单,空间均匀性好等特点,已广泛地应用于材料表面处理工艺中,如半导体芯片刻蚀及薄膜沉积、薄膜硅太阳能电池制备等工艺。为了提高材料表面处理的效率,如提高芯片的刻蚀率和薄膜的沉积速率,目前工业界中趋向于通过提高电源的驱动频率来实现。电源的驱动频率从传统的射频(13.56MHz)到几

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