离子束外延技术与新材料研究

杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国 · 0

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IBE技术

会议名称：

2005年中国固体科学与新材料学术研讨会

会议时间：

2005-03

会议地点：

中国广西北海

摘要：

介绍了离子束外延(Ion-Beam Epitaxy,IBE)技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况。重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导体薄膜、磁性半导体薄膜、稀土氧化物薄膜、难熔金属及其硅化物和氮化物薄膜、磁性金属多层膜、超硬薄膜及纳米结构材料薄膜等。展望了IBE新材料应用研究在中国的发展前景及应该采取的对策。