第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集

第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)

2015-08-11 00:00:01

中国黑龙江哈尔滨

高掺镁铌酸锂晶体以其比同成分晶体高两个量级的抗光折变能力曾在国际上引起轰动,被誉为中国之星,可以用于波长转换、调制器、Q开关、参量振荡等方面。但是,无论是以二元同成分配比还是以化学计量比配比,长出的高掺镁铌酸锂晶体的光学均匀性有待进一步提高~(【1,2】)。我们以二元同成分为基础,采用三元同成分配比生长掺镁铌酸锂晶体,以期得到高均匀性和高质量的具有近化学计量比结构的同成分掺镁铌酸锂晶体~(【3】)。我们生长了以下五组配比晶体,Li_2O:Nb_2O_5:MgO=45.8:50:4.2、45.3:50:4.7、44.8:50:5.2、44:50:6.0、42.5:50:7.5,分别标记为Mg1、Mg2、Mg3、Mg4和Mg5。通过观察晶体生长条纹,测试晶体的OH吸收谱、紫外可见吸收谱、拉曼光谱、双光耦合折射率变化An以及抗光伤能力,并与掺镁摩尔分数5.0%的同成分铌酸锂晶体进行了对比。当光强密度为3.45×10~5W/cm~2时,Mg5未发生明显的光斑畸变;测试其折射率变化达到10~(-6)量级,说明全息测量与光斑畸变所得到的数据结果相一致。通过综合对比发现,Mg5的光学均匀性和抗光伤性能明显提高。