基于65nm CMOS工艺的140 GHz放大器设计
梁永明
周明珠
高海军
刘军
汪洁
文进才
苏国东
姜文杰
· 2017
会议时间:
2017-05-08 00:00:01
摘要:
本文设计并分析了基于GF 65nm CMOS工艺,中心频率为140GHz的放大器。此放大器由三阶共源共栅电路结构组成以获得高增益。同时,采用增益提升技术以获得更高的增益。级间匹配采用T型匹配网络进行共轭匹配。后仿结果显示该放大器在140GHz的增益为12d B,直流功耗为14.54m W。据作者所知,本文提出的放大器在相同的工艺情况下实现了较大的增益和较小的直流功耗。