2～4μm锑化物中红外半导体激光器研究

杨成奥谢圣文张一尚金铭袁野张宇徐应强牛智川 · 2019

阅读量：433

锑化物

制备技术

中红外半导体激光器

光电转换效率

出版社：

中国学术期刊（光盘版）电子杂志社、《红外技术》编辑部

会议名称：

全国第十七届红外加热暨红外医学发展研讨会

会议时间：

2019-11-14 00:00:01

会议地点：

中国山东青岛

摘要：

2～4μm波段是非常重要的红外大气窗口,工作在这个波段的激光器在气体检测、医疗美容和工业加工领域具有十分广泛的应用价值。锑化物半导体低维材料,是实现中红外波段半导体激光器的理想材料体系~([1-3])。目前国际上仅有少数研究机构掌握了锑化物半导体激光器的制备技术。本项目团队经过多年研发,在锑化物低维结构激光器结构的设计、关键制备技术取得创新性突破,实现了锑化物量子阱发光波长拓展,波长覆盖1.8?3.8@,通过带间级联结构进一步脊激光器发光波长拓展到4.2nm、先后实现了2?3nm波段大功率单管室温连续输出功率1.62W,最大光电转换效率27.5%,阵列激光器的室温连续输出功率达到16W,最大光电转换效率25.64,基于带间级联结构实现3.4 pm波段单管室温连续输出功率50 mW,实现了多种耸构(Index-coupled-LC-DFB, Complex-Coupled-LC-DFB,DBR, MOPA-DBR)的锑化物单模激光器甶室温连续工作,最大单面输出功率40mW,最大边模抑制比53 dB,达到国际最好水平,实现梵泵浦碟片激光器的研制,室温连续输出功率1W, M~2<1.3。