摘要：
一种基于SCR结构的新型ESD保护器件,可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底,第一N型阱,第一P型阱,第二N型阱,第一N+注入区,第一P+注入区,第二N+注入区,第三N+注入区,第二P+注入区,第四N+注入区,第三P+注入区,第五N+注入区和若干场氧隔离区构成；该类型保护器件通过一定的连接方式连接。有别于两个SCR的串联或并联,该类型保护器件在ESD脉冲作用下,当达到单个改进型SCR结构的开启电压后,内部会形成两条通路,其中一条为普通SCR通路,另一条为改进型SCR加上正向二极管通路,该器件中的两条通路互作负反馈,提高整个器件在ESD事件来临时的维持电压,避免闩锁效应。
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