具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及其制备方法与应用

本发明公开了一种具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及制备方法与应用。该Sc掺杂的氮化铝中,所述Sc掺杂的氮化铝的晶体结构为闪锌矿结构,且所述Sc元素占据晶格中部分Al元素的位置。Sc与Al的摩尔比为76：24；所述(Al+Sc)元素与氮元素的摩尔比为1：1。本发明制备的是一种具有闪锌矿的稀磁自旋半导体材料,这种闪锌矿结构的材料居里温度高、室温稳定性好,自旋注入效率高,已报导的稀磁半导体GaN的晶体结构属于六角晶系,磁性弱且接近超顺磁特性,因此,本发明具有广阔的应用前景。