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一种高热导率氮化硅-氮化铝复合材料及其制备方法
龚红宇
冯玉润
张玉军
张琳
王仙丽
刘玉
郭学
· 2016
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阅读量:83
氮化硅陶瓷
氮化铝
高热导率
复合陶瓷材料
烧结助剂
原料成分
半导体器件
质量百分比
专利权人:
山东大学
申请人:
山东大学
通讯地址:
山东大学
专利类型:
发明专利
专利号:
CN105503199A
摘要:
本发明涉及一种高热导率氮化硅-氮化铝复合材料及其制备方法,该复合材料由以下质量百分比的原料成分经混合、球磨、干燥、烧结而成:氮化硅55~90wt.%,氮化铝5~35wt.%,烧结助剂0~10wt.%;各成分用量之和为100%。本发明通过向Si
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N
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材料中添加AlN制得的Si
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-AlN复合材料,所制得的Si
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-AlN复合陶瓷材料除了具有一般氮化硅陶瓷的优异性能外,还具有热导率高的特点,可以满足半导体器件和集成电路等对热导率要求较高的场合的应用要求。
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