单势垒型InGaAsSb红外探测器

智库首页 > 智库成果 > 专利

单势垒型InGaAsSb红外探测器

向伟王国伟徐应强郝宏玥韩玺任正伟贺振宏牛智川 · 2016

收藏

阅读量：330

红外探测器

专利权人：

中国科学院半导体研究所

申请人：

中国科学院半导体研究所

通讯地址：

中国科学院半导体研究所

专利类型：

发明专利

专利号：

CN105932092A

摘要：

一种单势垒型InGaAsSb红外探测器,包括：一GaSb衬底；一下接触层,其制作在GaSb衬底上；一复合层,其制作在下接触层上；一上接触层,其制作在复合层上。本发明可以针对目前应变InGaAs探测器的缺陷,该单势垒型InGaAsSb红外探测器具有暗电流小,低噪声的优点。

相关专家

相关课题