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一种双通道宽光谱探测器及其制备方法
韩玺 徐应强 王国伟 向伟 郝宏玥 牛智川 · 2016
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阅读量：385
宽光谱
上台面
吸收层
光谱探测
台体
隔离层
有中
电连接
专利权人：
中国科学院半导体研究所
申请人：
中国科学院半导体研究所
通讯地址：
中国科学院半导体研究所
专利类型：
实用新型
专利号：
CN105957918A
摘要：
一种双通道宽光谱探测器及其制备方法,该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构,所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层,其中,在上电极接触层顶部形成上台面,在中电极接触层形成有中台面,在下电极接触层形成有下台面,上电极、中电极和底电极,分别设置于上台面、中台面和下台面上,分别与上电极接触层、中电极接触层上电极接触层电连接,该双通道宽光谱探测器可以用于宽光谱探测。
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