一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用

本发明公开了一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用。所述高c轴取向AlN薄膜的制备方法包括如下步骤：将石墨烯旋涂于衬底上得到石墨烯覆盖的衬底；利用反应溅射,在所述石墨烯覆盖的衬底上进行沉积得到所述AlN薄膜；所述反应溅射的工作气体为氮气和氩气的混合气体；所述反应溅射的靶材为铝靶。本发明方法采用石墨烯作缓冲层有效地缓解了衬底层与AlN层之间的晶格失配和热膨胀系数失配的问题,使得本发明制备的AlN薄膜中的应力比较低。本发明择优取向的AlN压电薄膜可用于制备高频、大功率、高机电耦合系数的SAW器件,产品可靠性强、成品率高且成本低。本发明制备方法操作简单,成本低廉,易于实施,有利于大规模推广应用。