摘要：
本发明公开了一种垂直TFET及其制造方法,该方法包括：形成台阶结构的绝缘介质层；在所述绝缘介质层的台阶侧壁形成第一栅极侧墙,并沉积第一栅介质层；在所述第一栅介质层上沉积二维材料层形成沟道区；在所述二维材料层上沉积第二栅介质层,并在所述第二栅介质层的台阶侧壁形成第二栅极侧墙；刻蚀所述第二栅介质层,以进一步在所述台阶侧壁的两侧分别形成与所述沟道区连接的源极和漏极。本发明提供的器件,用以解决现有技术中二维材料器件的集成密度较差,不利于大规模应用的技术问题。实现了大大提高TFET器件的集成密度的技术效果。
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