半导体器件及其制作方法

本申请提供了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括衬底、背栅、栅介质层、二维半导体材料层与两个电极,背栅设置在衬底的部分表面上；栅介质层设置在背栅的裸露表面上；二维半导体材料层设置在栅介质层的远离背栅的表面上；两个电极设置在二维半导体材料层的远离栅介质层表面上,且分别设置在背栅两侧。该半导体器件在衬底的表面上设置有背栅,在背栅施加不同的偏压,通过栅介质层的电场,感应不同载流子(电子和空穴等),使得二维半导体材料能带弯曲。在源漏区施加合适大小的偏压,使得导电沟道导通或夹断,进而实现器件的开与关,进而实现背栅独立控制该器件的开关,满足了大规模集成电路设计的基本需求。