一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件
摘要：
本发明公开了一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件,该方法包括：提供衬底,NMOS区域包含第一鳍片和第二鳍片,PMOS区域包含第三鳍片和第四鳍片；依次沉积第一阻挡层和第一功函数层；去除NMOS区域上的第一功函数层；使第一鳍片和第二鳍片上具有不同厚度的第一阻挡层；沉积第二功函数层；使第三鳍片和第四鳍片上具有不同厚度的第二功函数层。本发明提供的方法和器件,用以解决现有技术中高K金属栅CMOS器件阈值调节工艺存在的厚度区分范围小,可控性差,并且临近界面易造成对沟道的工艺损伤的技术问题。实现了提高阈值调控层厚度的可控范围,减少对沟道的工艺损伤的技术效果。
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