一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件

本发明属于半导体技术领域,公开了一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件,方法：提供衬底、沉积第一阻挡层、在NMOS区域上形成第一功函数层、沉积第二功函数层、使NMOS、PMOS区域上的不同鳍片上具有不同厚度的第二功函数层、沉积第三功函数层、去除第二、第四鳍片上的第三功函数层。器件：衬底、第一阻挡层、第一功函数层、第二功函数层、第三功函数层。本发明解决了现有技术中CMOS器件阈值调节工艺复杂,NMOS和PMOS之间易产生关联寄生影响,阈值控制精度较低,器件叠层结构复杂的问题,达到了NMOS和PMOS之间阈值调节关联影响较小,CMOS器件叠层结构简单的技术效果。