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一种CMOS器件及其制造方法
殷华湘 姚佳欣 叶甜春 赵超 · 2017
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阅读量：451
CMOS器件
金属栅
功函数
原子层沉积
控制精度
制造方法
多阈值
专利权人：
中国科学院微电子研究所
申请人：
中国科学院微电子研究所
通讯地址：
中国科学院微电子研究所
专利类型：
发明专利
专利号：
CN107316837A
摘要：
本发明提供一种CMOS器件的制造方法,在形成金属栅的过程中,在形成阻挡层和/或功函数层时,采用原子层沉积的方法,在原子层沉积的前驱体中,增加了包含Si、B、N、P、C或Ge元素的有机化合物气体,以实现阻挡层和/或功函数层的原位掺杂。该方法调节阈值的控制精度高,且工艺简单易行,更适用于小尺寸器件中的多阈值的调控。
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