一种具有N缺陷的C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>材料的制备方法和应用

一种具有N缺陷的C₃N₄材料的制备方法和应用

张铁锐余慧军吴骊珠佟振合 · 2015

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专利权人：

中国科学院理化技术研究所

申请人：

中国科学院理化技术研究所

通讯地址：

100190北京市海淀区中关村东路29号

专利类型：

发明专利

专利号：

CN104787734A

公开日期：

2015.07.22

摘要：

本发明公开了一种制备具有N缺陷的C₃N₄的方法,研究了N缺陷对C₃N₄光催化活性的影响.利用尿素和KOH为前驱体,通过550℃煅烧4h可获得N缺陷的C₃N₄.通过改变尿素和KOH的比例,可调节产物的N缺陷程度和光催化产氢活性.制备的具有N缺陷的C₃N₄具有光吸收和光催化活性增强的特点,拓宽了C₃N₄光吸收范围,提高了其光催化性能,同时简化了其制备方法,为制备高活性的C₃N₄材料提供了新的途径.此外,该方法通过调节KOH的用量可连续调节产物的能带结构,同时该方法还具有很好的适用性,利用尿素以外的其他物质为原料,比如硫脲或三聚氰胺,或者是利用其它的氢氧化物,通过该方法也都能得到相似的结果.