基于共振隧穿效应的近红外探测器

王广龙董宇倪海桥陈建辉高凤岐乔中涛裴康明牛智川 · 2015

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专利权人：

中国科学院半导体研究所;中国人民解放军军械工程学院

申请人：

中国科学院半导体研究所;中国人民解放军军械工程学院

通讯地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

专利类型：

发明专利

专利号：

CN105047725A

公开日期：

2015.11.11

摘要：

本发明提供一种基于共振隧穿效应的近红外探测器,其主体结构是一个共振隧穿二极管,但将共振隧穿二极管通常采用的双势垒结构变更为三势垒结构,以此抑制探测器的散粒噪声,并在三势垒结构和集电极之间外延生长吸收层.探测器工作时加正向偏压,近红外光从集电极入射,并在吸收层产生光生电子一空穴对,光生空穴在电场作用下向三势垒结构方向漂移,并在双势垒结构和吸收层的界面处堆积,进而改变了三势垒结构两侧的电势,增大了隧穿电流.探测器在室温下具有很高的响应度.

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