嵌入式纳米点阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法
林伟 雷勇 付群 郑贤正 王欣 吴明红 · 2015
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专利权人:
上海大学
申请人:
上海大学
通讯地址:
200444上海市宝山区上大路99号
专利类型:
发明专利
专利号:
CN104949957A
公开日期:
2015.09.30
摘要:
本发明公开了一种新型嵌入式纳米点阵结构表面增强拉曼活性基底的制备方法.该基底以表面带有有序凹坑阵列结构的铝片为模板,沉积具有SERS性能的材料,在凹坑基底上得到大面积、高度有序的嵌入在凹槽里面纳米点阵列结构.本发明提供的纳米点阵可以根据凹坑阵列的大小来数调节嵌入式纳米点阵列的结构参数和形貌,实现不同嵌入式金属纳米阵列基底对拉曼表面增强效果的不同影响.具有操作简单,无需转移,成本低,易于工业生产的优点基底形貌高度有序,拉曼活性高,对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果,且有很高的检出限.
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