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基于宏弯损耗效应的光纤位移传感器
刘文怡 侯钰龙 张会新 苏珊 刘佳 张彦军 沈三民 王红亮 苏淑婧 谭秋林 崔永俊 甄成方 雷海卫 赵利辉 熊继军 刘俊 · 2015
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阅读量：37
位移传感器
辐射耦合
位移检测
结构应用
模场
光功率
光能量
专利权人：
中北大学
申请人：
中北大学
通讯地址：
中北大学
专利类型：
发明专利
专利号：
CN105043264A
公开日期：
2015.11.11
摘要：
本发明的目的在于提供一种基于宏弯损耗效应的位移检测传感器.通过宏弯引起光纤内模场畸变,引起宏弯损耗.由两根塑料裸光纤形成双绞宏弯辐射耦合结构,利用宏弯损耗效应实现两根光纤之间的耦合,称为宏弯辐射耦合.通过宏弯半径改变宏弯损耗的光能量,引起接收光纤内光功率变化,从而实现对物体位移的检测.首次将宏弯辐射耦合结构应用于位移检测,同时实现了低成本,低功耗,高性能的位移传感器.
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