应用于体声波谐振器的ZnO薄膜结构和电学特性
汤亮 李俊红 郝震宏 乔东海 汪承灏 · 2008
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期刊名称:
功能材料与器件学报   2008 年 第4期 期
发表日期:
2008
摘要:
采用直流磁控溅射的方法制备了ZNO压电薄膜,并在双面抛光的熔融石英基片上制备了高次谐波体声波谐振器.X射线衍射结果显示ZNO压电薄膜C轴择优取向明显,衍射峰半高宽为0.1624°,显示出较好的结晶质量;扫描电镜分析观察到ZNO垂直于基片表面的柱形晶粒结构和较平滑的薄膜表面.体声波器件的电学测试结果显示器件具有很好的多模谐振特性,说明ZNO压电薄膜很好地激发出了厚度方向的纵声波,可应用于体声波器件和声表面波器件中.另外采用间接的方法得到ZNO压电薄膜在870MHZ时的介电常数约为5.24,介电损耗因子为1.07,进一步减小介电损耗因子,可以提高器件的Q值.
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