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王军喜
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基本信息
王军喜
,男
,任职于中国科学院半导体研究所
主要研究领域为:光学
学术成果
论文
2018年,
载流子复合机制对InGaN多量子阱蓝光LED调制带宽的影响
,发光学报,2018年02期,页码:97-102
2017年,
使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED
,半导体技术,2017年09期,页码:42-47
2017年,
大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备
,半导体技术,2017年09期,页码:63-67+83
2017年,
六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹(英文)
,光子学报,2017年11期,页码:62-67
2017年,
载流子分布对GaN基LED频率特性的影响(英文)
,发光学报,2017年03期,页码:82-87
2017年,
紫外发光二极管发展现状及展望
,照明工程学报,2017年01期,页码:7-9
2017年,
驶向紫外LED的“蓝海”
,高科技与产业化,2017年01期,页码:48-51
2017年,
新型热电材料综述
,电子科技大学学报,2017年01期,页码:135-152
2016年,
不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析(英文)
,发光学报,2016年10期,页码:68-74
2016年,
Analysis of photoluminescence thermal quenching: Guidance for the design of highly effective p-type doping of nitrides
,Scientific Reports,2016年6卷
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