排序:
  • 1  新型船用耐蚀Al-2.6Mg-1.7Si-X合金及其耐蚀钝化的特性研究
    [期刊论文]数字海洋与水下攻防  第4期期  罗兵辉   [超星链接]
    新型高强耐蚀Al-2.6Mg-1.7Si-X铝合金在海洋环境下的半导体特性及电化学特性。结果表明:Al-2.6Mg-1.7Si-X合金在海水中形成的致密、连续、稳定的耐腐蚀层,抑制了电子和空穴从半导体
    第一性原理    耐腐蚀    Al-Mg-Si    钝化    半导体 
  • 2  对非晶硅薄膜进行快速磷扩散以获得本征薄层异质结
    [期刊论文]材料导报  20期  陈诺夫
    纸为扩散源,通过快速热扩散(RTD)方法进行扩散得到具有p-n结的掺杂非晶硅层(n+-a-Si),最终得到n+-a-Si/i-a-Si/c-Si的异质结结构。系统地研究了扩散过程对a-Si(包括i-
  • 3  Si-TiO2的制备及其光生阴极保护性能
    [期刊论文]  2018年03期期  李春冬
    采用溶胶凝胶法和浸渍提拉法在304不锈钢(304SS)表面制备了Si-TiO_2薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)对层的形貌和晶型进行了观察,分析了烧结方式、烧结温度、薄膜
    溶胶凝胶法    Si-TiO2薄膜    光生阴极保护 
  • 4  电化学诱导表面引发原子转移自由基聚合构筑离子型聚醚砜功能表面
    [期刊论文]材料导报  04期  康龙
    采用电化学诱导表面引发原子转移自由基聚合(SI-eATRP)技术,在涂覆聚多巴胺的聚醚砜基底上接枝离子型聚合物分子刷聚对苯乙烯磺酸钠,并通过单体浓度对聚合物分子刷进行调控。采用SEM、AFM、XP
    聚合物    表面改性    SI-eATRP    聚合物刷    聚合物合金 
  • 5  Si含量对NbN/CrSiN纳米多层微观结构和力学性能的影响
    [期刊论文]功能材料  01期  马凤仓
    采用磁控溅射工艺在Si底片依次沉积NbN、CrSiN纳米层,通过改变靶材的Si含量,制备出一系列NbN/CrSiN纳米多层。分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高透射
    NbN/CrSiN纳米多层    微观结构    力学性能    共格外延生长 
  • 6  流化床反应器用于氯化亚铜合成二甲基二氯硅烷
    [期刊论文]南京工业大学学报(自然科学版)  第1期期  仲兆祥   [超星链接]
    有机硅单体是有机硅工业的支柱,通常采用Rochow反应合成。在流化床反应器内考察CuCl催化剂形貌、反应温度、Si粉粒径及气体流化速度对Rochow反应的影响。结果表明,CuCl形貌对其催化性能
    流化床    反应器    Rochow反应    CuCl催化剂    Si粉粒径    气速 
  • 7  eXTP望远镜用W/Si多层
    [期刊论文]  2017年11期期  齐润泽
    针对增强型X射线时变与偏振探测卫星(eXTP)项目中嵌套式聚焦成像望远镜对柱面镜片上W/Si多层的要求,在掠入射角为0.5°,工作波段为1~30keV条件下,设计了非周期W/Si多层并优化了薄膜
    eXTP项目    界面粗糙度    薄膜厚度均匀性    柱面镜    非周期多层 
  • 8  合成条件对高硅SSZ-13分子筛单气体渗透性能的影响
    [期刊论文]江西师范大学学报(自然科学版)  06期  陈祥树
    采用2次水热合成法在多孔莫来石支撑体外表面上制备高硅SSZ-13分子筛,考察了合成溶胶中的Si/Al比、晶化时间、晶化温度、H_2O/SiO_2比对合成高硅SSZ-13分子筛的单气体渗透性能的
    高硅SSZ-13分子筛    Si/Al比    CO2/CH4气体分离 
  • 9  磷掺杂Si QDs/SiO_2多层的发光与光增益特性研究
    [会议论文]  厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室    徐骏  中国福建厦门
    材料是一直是人们研究的热点之一。近期研究发现,掺杂是调控纳米硅发光波长,提高其发光强度的有力手段。本文利用PECVD沉积了磷(P)掺杂的非晶Si/SiO_2多层,随后
    增益特性  纳米硅  Si  QDs/SiO_2  发光波长  间接带隙半导体  量子限制效应  发光效率  发光强度  PECVD  发光材料 
  • 10  热丝CVD法沉积超薄α-Si∶H钝化
    [期刊论文]半导体技术  05期  周浪
    采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜。利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H_2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-
    热丝化学气相沉积(HWCVD)    介电常数    非晶硅(α-Si∶H)薄膜    钝化    带有本征薄层的异质结(HIT) 
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